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“微纳结构光电子芯片关键制备工艺及应用”顺利通过科技成果鉴定
2022年7月15日下午,本实验室“微纳结构光电子芯片关键制备工艺及应用”科技成果鉴定会在清华同方科技广场顺利举办。
鉴定会由中国电子学会主办,中国科学院半导体所祝宁华院士担任鉴定委员会主任委员,南京大学祝世宁院士、西北工业大学黄维院士担任副主任委员。鉴定委员会成员还有国家自然基金委信息科学部主任郝跃院士、东南大学校长黄如院士、东南大学崔铁军院士、中科院光电技术研究所所长罗先刚院士、中国科学院电子研究所夏善红研究员、北京理工大学张向东教授、北京大学胡小永教授、南开大学物理科学院副院长薄方教授、北京邮电大学郭霞教授。
清华大学曾嵘副校长出席会议并致辞。信息学院院长戴琼海院士、科技成果奖励办公室孟宪飞主任、电子工程系汪玉主任也参加了会议。
黄翊东教授汇报了实验室近二十年来积淀的成果。从微纳结构光电特性的物理机理出发,面向光子晶体、表面等离激元、光声微腔等典型的微纳光电子效应,在光电子微纳结构的关键制备工艺上取得原创突破,成功研制出多种类国际领先的光电子芯片,并为400余个科研团队的前沿研究和企业的新产品研发提供定制的微纳结构芯片加工和工艺开发,建立起了跨材料体系的微纳光电子芯片代工平台。
鉴定委员会认真听取了相关报告,并仔细质询讨论了成果的细节,对成果给予了高度评价。认为成果创新性强,在深刻蚀光子晶体制备技术、纳米级平整度金属薄膜制备技术、超大长宽比悬臂梁光声晶体制备技术等方面达到国际领先水平;成果有力促进了我国在新型光电子芯片领域的创新研究及产业发展,产生了重大的经济和社会效益。同意“微纳结构光电子芯片关键制备工艺及应用”项目通过科技成果鉴定。
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