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李天畅

博士后


通讯地址:

清华大学罗姆电子工程馆2-108

北京市海淀区,100084

Tel:+86-10-62783389

Fax:+86-10-62797073-808

电子邮箱:litc@mail.tsinghua.edu.cn

 

教育经历:

2018-2023 清华大学电子工程系 博士

2014-2018 清华大学电子工程系 学士

 

工作经历:

2023-至今:清华大学电子工程系 博士后

 

科研工作:

博士/博士后期间的主要工作为自由电子辐射器件和太赫兹器件。实验实现了基于石墨烯等二维材料的多层膜双曲超材料,并基于该双曲超材料实现了太赫兹波段无阈值切伦科夫辐射。研发太赫兹切伦科夫辐射芯片,首次实现了兼顾全片上集成和宽谱电调谐的自由电子太赫兹辐射源,辐射调谐范围与加速器太赫兹源相当,器件尺寸缩小3-5个数量级。

 

代表性成果:

[1] Tianchang Li, Fang Liu, Yudi Chen, Xiaotong Xiong, Kaiyu Cui, Xue Feng, Wei Zhang and Yidong Huang. “On-chip Cherenkov radiation tuning in 3.2-14 THz”, Nature Communications, 16, 7921, 2025.

[2] Tianchang Li, Fang Liu and Yidong Huang. “Terahertz Radiation Generated from Graphene Hyperbolic Metamaterial”, The 28th Optoelectronics and Communications Conference (OECC) 2023.

[3] 刘仿,李天畅,李津宇,黄翊东,崔开宇,冯雪,张巍. “基于双曲超材料的片上太赫兹源及其制备方法”,专利号:ZL202011411950.5,已授权

[4] 刘仿,李天畅,崔开宇,冯雪,张巍,黄翊东.“表面等离激元薄膜的制备方法和制备多层膜超材料的方法”,专利号:ZL202211099082.0,已授权

[5] 刘仿,李天畅,黄翊东,冯雪,崔开宇,张巍.“双曲超材料的制备方法”,专利号:ZL202210704770.9,已授权

[6] 刘仿,李天畅,崔开宇,冯雪,张巍,黄翊东.“基于天然双曲材料的切伦科夫红外辐射源及自由电子光源”,专利号:ZL202210051327.6,已授权

[7] 刘仿,林月钗,李天畅,黄翊东,冯雪,崔开宇,张巍.“相干Smith-Purcell辐射器件及相干THz辐射信号产生方法”,专利号:ZL201910603751.5,已授权

[8] 刘仿,冯翰祺,李天畅,冯雪,张巍,崔开宇,黄翊东. “基于法布里-珀罗干涉仪的窄线宽毫米波太赫兹频谱测量装置及方法”,专利申请号:202411905959.X