返回博士生任晓松基于光子引线实现薄膜铌酸锂芯片和单光子雪崩二极管芯片集成的论文在期刊Laser & Photonics Reviews发表
薄膜铌酸锂（TFLN）因其在高速电光调制、低损波导和强非线性效应等方面的优异性能，成为集成光量子芯片的重要实现平台。然而，在TFLN光子芯片上实现紧凑、稳定且相对经济高效的单光子探测器仍未得解决。光子引线（PWB）技术是一种灵活的芯片-芯片以及芯片-光纤的光互联技术，我们与清华大学精仪系团队、北京量子院团队和云南大学团队合作，利用光子引线技术实现了InGaAs/InP单光子雪崩二极管（SPAD）与TFLN光子芯片的混合集成。通过双光子聚合光刻制备了超过300 mm悬空跨度的聚合物波导，用于连接TFLN芯片和SPAD芯片的光敏面，从而实现了光子从TFLN芯片到SPAD芯片的高效耦合。该集成SPAD的片上光子探测效率达到了13.8%，为已报道集成三五族SPAD的最高水平，较之前发表的工作提升一倍有余。该研究为光子芯片上集成单光子探测器芯片提供了一种鲁棒便捷的方案，在量子通信、片上量子信息处理以及微弱光传感等领域具有应用潜力。
该工作于2025年8月18日以“Integration of InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diode and Thin Film Lithium Niobate Photonic Chip via Photonic Wire Bonding”为题发表在Laser & Photonics Reviews上（https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202500826）。博士生任晓松是共同第一作者，张巍教授是论文通信作者。
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